中新網(wǎng)12月4日電 三星電子近日宣佈,將在全球首家推出128GB DRAM記憶體。該産品採用3D立體硅穿孔封裝技術(shù),容量和速度提升2倍,能耗減少50%。已經(jīng)正式進入量産。
據(jù)悉,在這個小小的記憶體晶片中,三星內(nèi)置了 144 個晶片,形成了 36×4GB DRAM 封裝,每個封裝中有 4×8Gb 晶片,而且該記憶體晶片採用了三星最先進的 20毫微米工藝製造。
因此,128GB TSV DRAM模組不僅容量大,而且還滿足超高速、超省電、高安全性等綠色IT的要求,是面向企業(yè)級伺服器和數(shù)據(jù)中心的解決方案。
相比于傳統(tǒng)的引線連接多晶片封裝方式,TSV(硅穿孔)技術(shù)能夠大大減少半導(dǎo)體設(shè)計中的引線使用量,降低工藝複雜度,從而提升速度、降低功耗、縮小體積。
尤其與採用引線連接封裝方式的64GBD RAM 模組相比,128GB TSV DRAM模組的速度高達2,400Mbps,而功耗則減少了50%。
而且,三星電子計劃在年內(nèi)量産採用TSV技術(shù)的 “128GB DDR4 LRDIMM”, 並提高20奈米8GB DRAM的生産比例,以此進一步加強競爭力。
三星電子記憶體事業(yè)部戰(zhàn)略行銷組CHO JOO SUN 副社長表示:“ 得益於128GB DRAM模組的量産,我們才能及時上線幫助全球IT客戶提高投資效率的下一代伺服器系統(tǒng)。今後,我們會擴大客戶和技術(shù)合作範(fàn)圍,加快全球IT市場的發(fā)展,讓消費者享受更加便利的服務(wù)。”
在過去20年,三星始終保持記憶體行業(yè)世界領(lǐng)先的位置。三星半導(dǎo)體不僅在中國引入最先進的技術(shù),同時建設(shè)完整的産業(yè)鏈,不斷地自我創(chuàng)新和自我超越。
4月15日,三星電子(蘇州)半導(dǎo)體有限公司新型生産線“I LINE”竣工。而在一天之前的4月14日,三星(中國)半導(dǎo)體有限公司在西安也隆重舉行了封裝測試生産線竣工投運儀式。
據(jù)了解,三星在韓國的華城建有存儲晶片的生産基地,在韓國的溫陽和中國的蘇州運作有存儲晶片的封裝測試中心。而位於西安高新區(qū)綜合保稅區(qū)的三星(中國)半導(dǎo)體有限公司4月14日竣工的封裝測試生産線,是將前工程生産出的V-NAND快閃記憶體,在這裡經(jīng)過封裝測試等工序製成固態(tài)硬碟(SSD)。這標(biāo)誌著三星(中國)半導(dǎo)體有限公司將成為集存儲晶片生産、封裝、測試于一體的半導(dǎo)體綜合生産園區(qū)。
兩天之內(nèi),三星半導(dǎo)體在中國的兩家工廠生産線先後竣工,這不僅意味著三星半導(dǎo)體全業(yè)態(tài)生産鏈在中國正式形成,也意味著三星在中國的發(fā)展戰(zhàn)略正不斷朝著高端製造以及高科技轉(zhuǎn)移。
[責(zé)任編輯: 李振]
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